2026年4月2日，截至收盤，滬指跌0.74%，報(bào)收3919.29點(diǎn)；深成指跌1.60%，報(bào)收13486.94點(diǎn)；創(chuàng)業(yè)板指跌2.31%，報(bào)收3172.65點(diǎn)?？苿?chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）跌3.09%，半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）跌3.54%。

隔夜外盤：截至收盤，道瓊斯工業(yè)平均指數(shù)跌0.13%；納斯達(dá)克綜合指數(shù)漲0.18%；標(biāo)準(zhǔn)普爾500種股票指數(shù)漲0.11%。費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)漲0.40%，恩智浦半導(dǎo)體跌0.53%，美光科技跌0.44%，ARM跌3.84%，應(yīng)用材料跌1.51%，微芯科技漲0.34%。

行業(yè)資訊：

1.日本六氟化鎢（WF6）供應(yīng)商，如關(guān)東電化和中央硝子株式會(huì)社，上周已開始通知包括三星電子和DB HiTek在內(nèi)的韓國半導(dǎo)體公司，稱其原材料供應(yīng)出現(xiàn)中斷。據(jù)悉，這些六氟化鎢供應(yīng)商將利用現(xiàn)有鎢庫存維持供應(yīng)至5月或6月，但無法保證下半年的供應(yīng)。

2.繼去年資本支出超過1萬億韓元之后，三星電機(jī)預(yù)計(jì)今年將進(jìn)行規(guī)模相近的投資，主要是由于生成式人工智能和高性能計(jì)算的快速發(fā)展，帶動(dòng)了對(duì)高性能半導(dǎo)體襯底需求的結(jié)構(gòu)性增長。目前，三星電機(jī)用于服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的FC-BGA生產(chǎn)線幾乎滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)。三星電機(jī)總裁張德鉉表示：“該產(chǎn)品的需求量超過產(chǎn)能50%以上”，并補(bǔ)充說公司正在“同步升級(jí)生產(chǎn)線并擴(kuò)建工廠”。（注：FC-BGA是連接高性能半導(dǎo)體和襯底的核心組件，具有高速信號(hào)處理和良好的散熱能力。）

3.近期存儲(chǔ)器芯片價(jià)格飆漲引發(fā)的供應(yīng)鏈壓力，已開始嚴(yán)重影響智能手機(jī)市場(chǎng)需求。聯(lián)發(fā)科與高通正大幅削減4納米手機(jī)芯片出貨量，預(yù)估減少約1500萬~2000萬顆，相當(dāng)于2萬~3萬片晶圓。

國盛證券認(rèn)為，國產(chǎn)半導(dǎo)體材料廠商將充分受益于1）晶圓產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)充，且國內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)能較大。2）國產(chǎn)供應(yīng)商料號(hào)種類、份額有較大提升空間，疊加地緣政治影響下，國產(chǎn)化強(qiáng)需求。3）平臺(tái)化布局。4）更多更高國產(chǎn)化率新產(chǎn)線擴(kuò)建為材料提供更多驗(yàn)證機(jī)會(huì)。我們也看到，國內(nèi)材料廠商多年研發(fā)沉淀將開花結(jié)果，光刻膠等國產(chǎn)化率亟待提升環(huán)節(jié)，國產(chǎn)廠商正逐步實(shí)現(xiàn)突破，重視相關(guān)廠商進(jìn)入收獲期機(jī)會(huì)。

相關(guān)ETF：科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）：跟蹤指數(shù)是科創(chuàng)板唯一的半導(dǎo)體設(shè)備主題指數(shù)，其中先進(jìn)封裝含量在全市場(chǎng)中最高（約50%），聚焦于科技創(chuàng)新前沿的硬核設(shè)備公司。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357）：跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，其中半導(dǎo)體設(shè)備的含量在全市場(chǎng)指數(shù)中最高（約63%），直接受益于全球芯片漲價(jià)潮對(duì)“賣鏟人”（設(shè)備商）的確定性需求。